Von Stress und Strecken

Der Markt ist weiter im Stress, einige Firmen der Branche konnten deutliche Zugewinne verbuchen, anderen geht es schlecht. Vorsichtige Hoffnung ist aber angesagt. Intel erhofft sich beispielsweise bessere Ausbeute und damit höheren Gewinn durch den neuen 90-nm-Prozess auf 300-mm-Wafern, der in Kürze seine Marktreife unter Beweis stellen soll.

Intel, IBM, NEC, TI, Motorola, Samsung, Xerox und auch Microsoft gehören zu den Gewinnern, andere wie Sun, Sony, Toshiba, ARM und Transmeta mussten zum Teil herbe Rückschläge einstecken. Sony beispielsweise will sich „umstrukturieren“, das heißt 20 000 Mitarbeiter entlassen. Motorola ist immer noch führungslos, und weil keiner führt, führt derweil die zweite Garde und zwar den Abschied auf Raten aus der Chipbranche fort: Eine Fab in China wurde verkauft. AMD konnte den Verlust bei um 86 Prozent erhöhtem Umsatz auf nur noch 31 Millionen Dollar reduzieren und hegt nun starke Hoffnung, im Weihnachtsquartal endlich wieder mit Hilfe des Zugpferdes Athlon 64 in die schwarzen Zahlen zu rutschen. Intel und tags drauf AMD setzen ihre gewohnte Preisspiral-Politik fort, nachdem es auf diesem Gebiet eine Zeit lang etwas ruhiger war: Intel senkte die Prozessorpreise um bis zu 35 Prozent (etwa beim Pentium 4 mit 3,06 bzw. 3,2 GHz), AMD konterte etwa in gleicher Größenordnung mit Preissenkungen für Opterons und vor allem für den Athlon XP 3200+.

Dem Microprocessor Forum blieb Intel erstmals fern, obwohl die doch so innovative Firma durchaus beispielsweise einige Details zum Prescott-Prozessor hätte verlauten lassen können. Und zum Herstellungsprozess dieses Prozessors - über den geheimnisumwitterten 90-nm-Prozess mit Strained Silicon hat sich Intel erst ein paar Tage nach dem Forum ausgelassen. Detailliert soll der Prozess auf dem IEDM am 9. Dezember erläutert werden. Strained Silicon - frei übersetzt mit gestresstem Silizium, (korrekter: gestrecktes oder gespanntes Silizium) ist eine Methode, das Silizium um bis zu zwei Prozent zu strecken, was die Beweglichkeit der Ladungsträger und damit auch die mögliche Taktfrequenz deutlich erhöhen kann.

Wie Intels Prozesschef Mark Bohr jetzt bekannt gab, streckt Intel die PMOS- und NMOS-Transistoren auf unterschiedliche Weise. Bei PMOS werden die Quellen und Senken (Source und Drain) des Transistors mit einer Si/Ge-Dotierung versehen, was etwa zu einer 25-prozentigen Erhöhung des Stromes führt, bei NMOS hingegen wird die Schicht über dem Gate mit Silizium-Nitrid SI₃N₄ überzogen. Auch diese Dotierung stresst den Kanal so sehr, dass er vor Schreck zehn Prozent höhere Ströme zulässt. Die zusätzlichen Prozess-Schritte sollen die Produktionskosten nur um zwei Prozent erhöhen, das lohnt sich also. (as)