Infineon fertigt Leistungshalbleiter auf extrem dünnen 300-Millimeter-Wafern

Dünner Wafer
Bild: Infineon Leistungshalbleiter für hohe Betriebsspannungen funktionieren etwas anders als planare Transistoren: Bei den CoolMOS-Bauelementen von Infineon fließt der Strom sozusagen durch das Silizium-Die hindurch. Deshalb ist es vorteilhaft, extrem dünne "Thin Wafer" zu verarbeiten. Bisher hat Infineon solche Bauelemente aus speziellen 200-mm-Siliziumscheiben hergestellt. 300-mm-Technik ermöglicht zwar mehr Produkte pro Wafer, wäre aber für Leistungshalbleiter eigentlich zu teuer. Doch Infineon hat die ursprünglich für SDRAM-Chips ausgelegte 300-mm-Fab der untergegangenen Firma Qimonda in Dresden übernommen – wobei Qimonda ja Nachfolgerin der DRAM-Sparte von Infineon war.

Schema eines CoolMOS-Transistors, der aus einem Thin Wafer gefertigt wurde.
Bild: Infineon Zunächst hat aber nun nach mehrjähriger Vorbereitung erst einmal die Serienfertigung von CoolMOS-Produkten auf 300-mm-Dünnwafern auf der Pilotlinie am Standort Villach begonnen. Diese Wafer werden in der Back-End-Fab in Malakka (Malaysia) zu einzelnen Bauteilen verarbeitet. Laut Infineon haben nun die ersten Kunden diese Produkte qualifiziert. Im nächsten Schritt wird die vollautomatische Fertigung in Dresden hochgefahren.

In Zukunft will Infineon Bauteile, die auf dünnen Wafern gefertigt werden sollen, schwerpunktmäßig für die 300-mm-Fertigung entwickeln. Zu diesen diskreten Halbleitern gehören die erwähnten CoolMOS-Transistoren für Spannungen bis zu 900 Volt, aber auch SiC-Dioden oder IGBTs.

Auch die Firma Texas Instruments profitiert von günstig eingekauften Qimonda-Maschinen zur Produktion von Analog-ICs aus 300-mm-Scheiben: Damit wurde die mehrere Jahre lang leerstehende RFAB bei Dallas ausgestattet. (ciw)