Hewlett-Packard hat mit Hynix Semiconductor die kommerzielle Produktion von so genannten ReRAMs vereinbart. Die auf Memristoren basierende Technologie soll doppelt so viele Daten fassen wie Flash-Speicher.
Ein neues elektronisches Bauteil aus Graphit könnte 3D-Speicher mit einer Datendichte ermöglichen, die zehnmal höher als die von Flash-Speichern ist.
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US-Forscher arbeiten an einer Nano-basierten Speichertechnologie, die die Datendichte tragbarer Geräte künftig deutlich erhöhen könnte.
Der koreanische Elektronikkonzern Samsung will bald deutlich voluminösere Flash-Speicherchips anbieten. Der Trick liegt in einer erweiterten räumlichen Struktur.
