IBM mit 90-GHz-Transistoren

Nach so vielen Berichten über Heldentaten an der Transistor-Front wollte auch der mit Abstand größte Forschungsriese nicht mit Sensationsmeldungen zurückstehen. Auch IBM wird auf dem nächste Woche beginnenden International Electronic Devices Meeting (IEDM) mit einem Knaller aufwarten: eine Kombination aus Kupfer- und Silizium-Germanium-Technologie, die in einem 0,18-µm-Prozess eine Transitfrequenz von 90 GHz ermöglichen soll. Die so genannten SiGe Heterostructure Bipolar Transistors (HBT) sind bereits in 0,5-µm- und 0,25-µm-Strukturen realisiert. Sie können mit bis zu 45 GHz arbeiten, wobei sie erheblich weniger Strom verbrauchen sollen, als Transistoren aus konkurrierenden Herstellungsverfahren. (as)