Next-Gen-Grafikkarten: GDDR7-RAM drückt aufs Gaspedal

GDDR7-RAM wird mindestens 50 Prozent schneller als die schnellsten GDDR6(X)-Speicherbausteine. Gaming-Grafikkarten könnten damit den 2 TByte/s nahekommen.

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(Bild: Nvidia)

Samsung gibt auf der Hausmesse Samsung Tech Day 2022 einen Ausblick auf aktuelle Speicherentwicklungen, darunter GDDR7-Bausteine für kommende Grafikkarten. Der verantwortliche Unternehmensverbund JEDEC hat GDDR7 bisher zwar nicht abschließend spezifiziert, allerdings gibt Samsung schon mal ein wichtiges Detail preis: Entsprechende Bausteine sollen mindestens 36 Gigabit pro Sekunde (Gbps) und Pin erreichen.

Verglichen mit den schnellsten GDDR6- und GDDR6X-Bausteinen entspricht das einer 50-prozentigen Geschwindigkeitssteigerung. 24 Gbps sind derzeit maximal drin, allerdings beschränkt sich Nvidia selbst bei seinem neuen Topmodell GeForce RTX 4090 auf 21-Gbps-GDDR6X. AMD verwendet bei seiner (noch) schnellsten Grafikkarte Radeon RX 6950 XT 18-Gbps-GDDR6.

Die GeForce RTX 4090 schafft mit ihrem 384 Bit breitem Speicher-Interface eine Übertragungsrate von 1008 GByte/s. Mit den 36 Gbps schnellen GDDR7-Bausteinen wären an einem 384-Bit-Interface 1728 GByte/s drin – solche Werte schafft bislang nur HBM-Stapelspeicher.

Wann GDDR7-RAM marktreif sein wird, verriet Samsung nicht. In den vergangenen 12 Monaten scheint sich jedenfalls noch einiges getan zu haben: Auf dem Samsung Tech Day 2021 stellte die Firma noch GDDR7-Bausteine mit 32 Gbps in Aussicht. Bis zur Vorstellung könnte es noch weitere Performance-Sprünge geben.

Zu Samsungs weiteren Neuigkeiten gehören DRAM-Chips aus der nächsten Fertigungsgeneration 1b – aus der 10-Nanometer-Klasse, aber wie 1a mit extrem-ultravioletter (EUV-)Lithografietechnik. Die Serienproduktion soll im Jahr 2023 beginnen. Bis dahin kommt auch TLC-NAND-Flash mit einer Kapazität von 1 Terabit pro Baustein. Bis zum Jahr 2030 strebt Samsung NAND-Flash mit mehr als 1000 Speicherlagen an – aktuell ist bei 236 Layern Schluss.

(mma)