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3D-V-NAND nun auch mit Triple-Level-Cells

Bei Samsung ist die Serienfertigung von mehrlagigen NAND-Flash-Chips mit 3-Bit-Speicherzellen angelaufen. Die 128-Gigabit-Chips sind unter anderem für "Client"-SSDs gedacht.

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3-Bit-Zellen mit 3D-V-NAND-Technik sollen zuverlässiger arbeiten als planare TLC-Flashes.

(Bild: Samsung)

Als 3D-V-NAND bezeichnet Samsung Flash-Speicherchips, die aus mehreren Lagen mit vertikal orientierten Speicherzellen bestehen. Bisher fertigt der NAND-Flash-Marktführer 24- und 32-Lagen-Versionen mit Zwei-Bit-Zellen, die etwa in der SSD 850 Pro zum Einsatz kommen sowie in den NVMe-/PCIe-SSDs SM1715 und XS1715. Nun ist die Serienfertigung billigerer 3D-V-NAND-Chips angelaufen, bei denen jede Zelle 3 Bit speichert. Samsung spricht von 3-Bit-Multi-Level-Cell (MLC), eine andere Bezeichnung lautet Triple Level Cell (TLC).

Die 3-Bit-3D-V-NAND-Chips fassen bis zu 128 GBit (16 GByte), 8 Chips oder wenige Stack-Chips reichen bereits für eine 128-GByte-SSD.

Laut Samsung vertragen die einzelnen Zellen bei 3D-V-NAND besonders viele Schreibzyklen, für die SSD 850 Pro gelten etwa 10 Jahre Garantie bei 40 GByte täglich geschriebenen Daten (150 TByte Written, TBW). Die vertikalen 3-Bit-Zellen sollen ihrerseits robuster sein als planare TLC-NAND-Flashes.

Kürzlich hatte Samsung allerdings selbst Bedenken gegenüber der TLC-Technik in SSDs genährt: Bei der beliebten SSD 840 Evo mit TLC-Flashes sinkt die Lesegeschwindigkeit bei älteren Dateien. Samsung will den Fehler demnächst mit einem Firmware-Update ausbügeln, veröffentlicht dazu aber bisher keine Informationen auf der eigenen Support-Webseite. (ciw)