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Auch Samsung liefert Phasenübergangsspeicherchips nun aus

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256-MBit-PRAM aus der 100-nm-Fertigung, welches Samsung 2005 vorgestellt hat.

(Bild: Samsung)

Kurz nach der Micron-Tochterfirma Numonyx verkündet nun auch die Halbleitersparte des koreanischen Samsung-Konzerns, Phasenübergangsspeicherchips auszuliefern. Zwar spricht Numonyx von Phase-Change Memory (PCM), während es bei Samsung Phase-change RAM (PRAM) heißt, doch grundsätzlich nutzen die Bauelemente beider Firmen Phasenübergänge in speziellen Legierungen, um Informationen zu speichern.

Während Numonyx zwei diskrete PCM-Chips mit jeweils 128 Megabit (16 MByte) liefert, gibt es das erste Samsung-PRAM, welches die vierfache Kapazität (512 MBit/64 MByte) speichert, nicht einzeln; Samsung integriert das PRAM-Die vielmehr in ein nicht näher bezeichnetes Multi-Chip Package (MCP) "für Mobilgeräte". Vermutlich handelt es sich um einen hoch integrierten Prozessor für Smartphones, der auch ein System-on-Chip (SoC) mit Rechenwerken enthält. Üblich ist in solchen MCPs auch mindestens ein weiteres Die mit DRAM als Arbeitsspeicher.

Ebenso wie die Numonyx-PCMs verhält sich das Samsung-PRAM "nach außen hin" wie NOR-Flash-Speicher – diesen in Handys und Smartphones weit verbreiteten, nichtflüchtigen Speicherchiptyp soll Phasenübergangsspeicher in Zukunft ablösen. (ciw)