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Bei AMD/Globalfoundries startet die 28- und 32-nm-Chipproduktion 2010

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Die AMD-Fertigungssparte Globalfoundries präzisiert ihre Roadmap: In der zweiten Jahreshälfte 2010 soll die Großserienproduktion von Halbleiterbaulementen sowohl mit der 32-Nanometer-Fertigungstechnik auf Silicon-on-Insulator-(SOI-)Wafern als auch mit 28-nm-Prozesstechnik auf den billigeren Bulk-Silicon-Wafern anlaufen. Bereits im ersten Halbjahr 2010 will der Auftragsfertiger die Pilotfertigung im sogenannten Shuttle-Service aufnehmen, wo verschiedene Chip-Entwürfe unterschiedlicher Kunden auf demselben Wafer laufen, um Kosten und Zeit zu sparen.

Details der gemeinsam mit IBM entwickelten 32- und 28-nm-Fertigungsverfahren sind schon länger bekannt; für beide Prozesse nutzt Globalfoundries – wie schon bei der aktuell in der Dresdner Fab 1/Module 1 laufenden 45-nm-Fertigung – Immersionslithografie, kann aber darüber hinaus High-K/Metal-Gate-(HKMG-)Strukturen realisieren. Dabei kommt ein "Gate-First"-Schichtaufbau zum Einsatz, der weniger Platz belegen und einfacher beherrschbar sein soll. Die Konkurrenz von Intel und TSMC beispielsweise verwendet hingegen den "Gate-Last"-Ansatz; auch TSMC will 2010 stufenweise drei 28-nm-Prozesse hochfahren: Die "Risikoproduktion" der Low-Power-Version 28LP soll zum Ende des ersten Quartals 2010 anlaufen, die Fertigung von Chips mit Hochleistungstransistoren (28HP) ein Quartal später und das "Zwischending" 28HPL ist für das dritte Quartal eingeplant.

Auch Globalfoundries will die 28-nm-Technik in zwei Varianten anbieten, nämlich 28nm-HP und 28nm-SLP (Super Low Power). Als 6T-SRAM-Zellengröße für 28-nm-Chips nennt Globalfoundries 120 Quadratmikrometer. Kürzlich hat ARM bestätigt, Gespräche auch mit Globalfoundries über eine Kooperation für die 28-nm-Chipgeneration zu führen; das liegt aber eigentlich auf der Hand: Vor genau einem Jahr hatte ARM eine solche Kooperation mit den anderen IBM-Alliance-Partnern Samsung und Chartered angekündigt – und Globalfoundries-Mitbesitzer ATIC wird Chartered kaufen.

Die 32-nm-Fertigungstechnik gibt es nur in einer Super-High-Power-(SHP-)Version. Ein 24-MBit-SRAM fertigt das Unternehmen nach eigenen Angaben zurzeit bereits in 32nm-SHP-Technik mit einer Ausbeute "im zweistelligen Prozentbereich", zum Jahresende sollen mehr als 50 Prozent "natural Yield" erreicht werden. AMD selbst ist ein wichtiger 32nm-SHP-Kunde; 2011 werden die ersten Fusion-Prozessoren Llano und Ontario erwartet.

Bei Intel läuft die 32-nm-Volumenproduktion bereits, die ersten Prozessoren werden Anfang 2010 erwartet. Soeben wurden erste 22-nm-Prototypen gezeigt, die 22-nm-Serienfertigung soll freilich erst 2011 anlaufen.

Auch die Kooperationspartner Panasonic (Matsushita) und Renesas fahren eine erste 32-/28-nm-Fertigungslinie für Systems-on-Chip (SoCs) auf 300-mm-Wafern hoch. Am Renesas-Standort Naka in der japanischen Provinz Ibaraki wurde dazu eine neue Fertigungsanlage installiert. Auch hier kommt HKMG-Technik zum Einsatz. (ciw)

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