DRAM-Joint-Venture von Infineon und Nanya plant neue Fabrik

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Der erst 2002 gegründete DRAM-Hersteller Inotera Memories arbeitet nach eigenen Angaben bereits ein Jahr nach Produktionsstart profitabel und plant bereits eine zweite 300-mm-Fertigungslinie.

Tief ins Silizium geätzte Gräben für DRAM-Speicherkondensatoren.

Inotera-Chef Charles Kau teilte laut Bloomberg mit, dass man auch angesichts eines Preisverfalls von 30 Prozent der produzierten DRAM-Speicherchips davon ausgehe, am Ende des Geschäftsjahres 2004 einen Gewinn zu erwirtschaften. Erst im April 2004 habe man mit der Produktion auf 300-mm-Silizium-Wafern begonnen.

Kürzlich wurden Pläne des Unternehmens bekannt, noch in diesem Jahr mit dem Bau einer zweiten 300-mm-Fertigungslinie auf dem Gelände der gemeinsam mit Infineon an Inotera beteiligten Chip-Firma Nanya zu beginnen. Nanya selbst ist Teil der großen Formosa Plastics Group. Die neue DRAM-Fab für 90-Nanometer-Strukturen soll etwa 2,9 Milliarden US-Dollar kosten und noch mehr Wafer verarbeiten können als die von Elpida im japanischen Hiroshima gebaute Fabrik und wäre damit nach heutigem Stand die weltweit größte Speicherchip-Fertigungslinie. Inotera will Anfang 2006 an die Börse gehen.

Nanya war 2003 der größte taiwanische DRAM-Hersteller, fiel aber 2004 auf Platz drei zurück, nachdem Powerchip Semiconductor (PSC, die neue Nummer 1) und der ehemalige Infineon-Partner ProMOS 300-mm-Fabs eröffnet hatten.

Unterdessen gab auch DRAM-Marktführer Samsung bekannt, eine neue 300-mm-Fertigungslinie in Südkorea bauen zu wollen -- die dazu nötigen Mittel hat das Unternehmen bereits eingeplant. Samsung geht für das laufende Jahr 2005 davon aus, dass die DRAM-Fertigungsmenge weltweit um 48 Prozent wachsen wird, die Nachfrage aber nur um 46 Prozent. Deshalb sollen die Preise etwas stärker fallen als im langfristigen Mittel, das bei etwa 30 Prozent pro Jahr liegt. Prognosen sagten für das letzte Jahr ein Chipmengen-Wachstum in ähnlicher Größenordnung voraus.

Die Kooperation zwischen Infineon und Nanya geht über eine reine Produktions-Auslagerung hinaus, denn die beiden Firmen entwickeln auch Fertigungsprozesse gemeinsam. Bereits im Dezember hatten die beiden anlässlich der IEDM DRAM-Speicherchips in 70-Nanometer-Fertigungstechnik vorgestellt. Die spezielle Trench-Struktur der Speicherkondensatoren, die für einen relativ kleinen Silizium-Flächenbedarf im Verhältnis zur Speicherkapazität sorgt, soll auch in dieser Produktionstechnik noch funktionieren. Das Verhältnis von Breite und Tiefe der Trench- (Graben-)Strukturen beträgt demnach etwa 1:75, was hohe Anfoderungen an die Fertigungstechnik stellt -- schließlich muss sich auch ein 1-GBit-Chip mit über einer Milliarde Speicherzellen mit hoher Ausbeute herstellen lassen und jahrelang zuverlässig arbeiten. Der Spotmarkt-Handelspreis für ein 256-MBit-DDR400-SDRAM liegt zurzeit bei etwa 4 US-Dollar -- also auf demselben Niveau wie vor 14 Monaten. (ciw)