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Globalfoundries entwickelt T-RAM mit

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T-RAM lässt sich auf SOI- oder Bulk-Silicon-Wafern fertigen.

(Bild: T-RAM)

Seit einigen Jahren entwickelt die Firma T-RAM ihre spezielle Thyristor-RAM-Technik, die vor allem als Alternative zu eingebettetem DRAM (eDRAM) und SRAM in Prozessoren und anderen Logik-Halbleiterbauelementen gedacht ist. T-RAM soll weniger Die-Fläche belegen als das üblicherweise aus 6-Transistor-(6T-)Zellen aufgebaute SRAM, aber auch sehr schnell und zuverlässig arbeiten; mit diesen Eigenschaften könnte T-RAM sich für (große) Cache-Speicher in Prozessoren eignen. Der abgespaltene AMD-Fertigungszweig Globalfoundries kooperiert nun mit T-RAM, um die neuartige Speichertechnik in ihre 32- und 22-Nanometer-Fertigungsprozesse zu integrieren.

T-RAM ist nicht der erste Ansatz von AMD für eine SRAM-Alternative: Seit mehr als drei Jahren hat AMD auch eine Z-RAM-Lizenz, könnte also diese "Null-Kondensator"-Zellen verwenden. Z-RAM ist allerdings auf den Einsatz (teurerer) Silicon-on-Insulator-(SOI-)Wafer angewiesen, während sich T-RAM auch in Bulk-Silicon-CMOS-Prozessen fertigen lassen soll.

Globalfoundries will mit der 32-nm-Generation auch ein Fertigungsverfahren für Bulk Silicon einführen; bisher fertigt AMD mit einem gemeinsam mit IBM entwickelten SOI-Prozess. Ob künftige AMD-Prozessoren weiterhin auf SOI-Wafern entstehen oder nicht, ist zurzeit unklar; Globalfoundries soll aber künftig auch die AMD-Grafikchips produzieren, die aus Bulk Silicon geschnitten werden.

Auch Intel forscht übrigens an einem Floating-Body-Cell-(FBC-)RAM für SOI, obwohl der Marktführer bisher keine SOI-Wafer verarbeitet. Per Thin-BOX-SOI-Technik lassen sich aber auch SOI-Regionen auf Bulk Silicon realisieren. Zu den Investoren in T-RAM gehört unter anderem auch Sun. (ciw)

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