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Huawei P10: Benchmark-Differenzen verunsichern Käufer

Huaweis neue Spitzenmodelle P10 und P10 Plus haben bei Speichertests unterschiedliche Ergebnisse geliefert. Das lässt auf verschiedene Speicherbauteile schließen, was der Hersteller nicht dementiert. Aber wirkt sich das überhaupt spürbar aus?

Huawei P10: Benchmark-Differenzen verunsichern Käufer

(Bild: c't)

Huaweis neues Smartphone-Flaggschiff P10 und das größere P10 Plus sind in einigen Test mit unterschiedlichen Benchmark-Werten beim Speicherzugriff aufgefallen. Die Ergebnisse bei Schreib- und Leseraten lassen auf den Einsatz unterschiedlicher Speichertechniken schließen. Neben LPDDR3- und LPDDR4-RAM verbaut Huawei offenbar Flashspeicherbausteine nach dem älteren Standard eMMC 5.1 oder die schnelleren UFS 2.0- und UFS 2.1-Speicher. Je nach Konfiguration haben Tester Leseraten zwischen 280 und 740 MB/s notiert.

Dabei ist diese sequenzielle Leserate kaum aussagekräftig, wenn es um die Beurteilung der Gesamtperformance geht. Es dürfte aber vor allem die Zugriffsgeschwindigkeit eine Rolle spielen. Auch bei den dafür relevanten "Random Read/Write"-Werten haben die getesteten P10 unterschiedliche Ergebnisse geliefert: Bei zufällig verteilten Lesezugriffen wurden zwischen 29 MB/s und 170 MB/s oder rund 7400 bis 37.000 I/O-Operationen à 4 Kilobyte pro Sekunde (IOPS) getestet.

In chinesischen Foren haben Nutzer ihre unterschiedlichen Benchmarks gepostet.

(Bild: Gizmochina)

Das sind Ergebnisse von chinesischen Nutzern, die für einige Furore gesorgt haben. Unter welchen Bedingungen diese Benchmarks zustande gekommen sind, können wir nicht überprüfen. Unser Testgerät erzielte im Androbench-Speichertest 170 MB/s und 43.525 IOPS bei zufällig verteilten Lesezugriffen. Es ist also anzunehmen, dass wir ein P10 in der bestmöglichen Konfiguration bekommen haben. Die Geräte mit den niedrigen Benchmarks wurden offenbar alle in China gekauft.

Das P10 der c't-Redaktion liefert Werte, die auf UFS 2.1 schließen lassen.

(Bild: c't)

Grundsätzlich kann sich die Leistungsfähigkeit des Flash-Speichers auf die erlebte "Schwuppdizität" eines Smartphones auswirken. Die hängt aber noch von anderen Faktoren ab, zum Beispiel den konkreten Eigenschaften des Speicherbausteins. Das sind meistens Multi-Chip-Module, die aus einem Stapel NAND-Flash-Chips und einem Controller-Chip bestehen, der für die Anbindung nach eMMC- oder UFS-Standard sorgt. Theoretisch kann auch eMMC 5.1 deutlich höhere IOPS-Werte liefern als die gemessenen.

Auch der schnellste Speicher nützt nichts, wenn der Prozessor die Daten nicht so schnell verarbeiten kann. Der neue Kirin 960 SoC von Huaweis Chip-Tochter HiSilicon unterstützt UFS 2.1 und dürfte mit der Datenflut auch gut zurechtkommen. Aktuelle ARM-Cores wie die im Kirin haben zudem durchaus respektable Caches. Die im Vergleich zu LPDDR3-Arbeitsspeicher bessere Performance von LPDDR4 wirkt sich deshalb vermutlich eher auf die 3D-Grafik-Performance aus. Die GPU reagiert deutlich sensibler auf schnelles RAM, was dann eher bei anspruchsvollen Spielen zu merken ist.

Auch spielt eine Rolle, ob der Speicher verschlüsselt ist. Wenn die Daten bei Schreib- und Lesevorgängen jeweils ver- bzw. entschlüsselt werden müssen, dann kostet das Zeit. Dazu kommen individuelle Faktoren wie das Betriebssystem, die Firmware, die aktuelle Speicherauslastung oder laufende Hintergrunddienste. All das kann Einfluss auf den subjektiven Eindruck der Performance eines Smartphones haben. Es ist also schwer zu sagen, ob sich die mutmaßlich unterschiedlichen Bauteile spürbar auswirken. Bei den Speicherbausteinen im P10 ist damit eher nicht zu rechnen. In anderen Fällen – etwa bei unterschiedlichen Displays – können Unterschiede deutlicher zu Tage treten.

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