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IBM und Hitachi kooperieren bei 32- und 22-Nanometer-Chiptechnik

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Die Halbleiter-Fertigungssparten der Firmen IBM und Hitachi kooperieren bei der Entwicklung spezieller Analyse- und Charakterisierungsverfahren für Bauelemente mit Strukturbreiten von 32 und 22 Nanometern. In der Pressemeldung zur Kooperation erwähnt IBM auch das Problem der Transistorvariabilität – gerade mit den riesigen SRAM-Transistorfeldern der On-Die-Caches aktueller Prozessoren haben Entwickler zunehmend Probleme, deren Verhalten in der Praxis zuvor zutreffend simulieren zu können.

IBM und Hitachi kooperieren erstmals im Bereich der Fertigungstechnik für Halbleiterbauelemente. Ingenieure der beiden Firmen sowie der Hitachi-Tochter Hitachi High-Technologies wollen am Thomas J. Watson Research Center von IBM in Yorktown Heights zusammenarbeiten. Mit Hitachi kooperiert IBM bereits bei großen Servern, Hitachi Global Storage Technologies hatte 2002 die IBM-Festplattensparte gekauft. (ciw)