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IDF: 128-MBit-Phasenwechsel-Speicherchip noch 2007

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"Später im Jahr" soll nach den Worten von Intel-CTO Justin Rattner nach jahrzehntelanger Entwicklungszeit nun endlich der erste in Großserie gefertigte "ovonische" Speicherchip erscheinen. Unter dem Codenamen Alverstone hat Intel einen solchen Phasenwechsel-Speicherchip entwickelt, der 128 MBit an Daten auch ohne Stromversorgung 10 Jahre lang speichern soll, sich Bit für Bit (und nicht wie NOR- und NAND-Flash erst nach blockweisem Löschen) beschreiben lässt, über 1 Million Schreibzyklen verträgt und auch noch deutlich schneller ist als herkömmliche Flash-Chips.

Alverstone soll 90-Nanometer-Strukturen haben und sich extern wie ein NOR-Flash-Baustein verhalten; erst spätere Generationen dieses Phase-Change Memory (PCM) alias PRAM alias Ovonyx Unified Memory (OUM) sollen alle seine neuen Möglichkeiten nutzen. In bestimmten Applikationen sollen PCMs sogar DRAM ersetzen können; dabei sei die Anmerkung erlaubt, dass diese Eigenschaft auch seit Jahren schon bei der Ankündigung von MRAMs versprochen wird. Alverstone hat jedenfalls bestenfalls ein Achtel der Speicherkapazität aktueller NOR-Flash- und SDRAM-Chips beziehungsweise ein Hundertachtundzwanzigstel von NAND-Flash-Bausteinen, die es bald mit bis zu 16 GBit gibt.

Samsung hat PRAM-Chips für 2008 angekündigt, IBM, Macronix und Qimonda sehen attraktive PCM-Chips eher erst 2015. Auch Intels NOR-Flash-Allierter STMicroelectronics arbeitet an Phasenwechselspeichern auf der Basis von Chalcogenidlegierungen wie Germanium-Antimon-Tellurid (Ge2Sb2Te5), die auf eine Idee von Stanford R. Ovshinsky aus den 60er-Jahren zurückgehen. Die Entwicklung von Polymerspeichern hat Intel hingegen weitgehend eingestellt.

Zum IDF in Peking siehe auch:

(ciw)