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IDF: Nach DDR3- kommt DDR4-Hauptspeicher

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Zwar verrieten Intel und Qimonda anlässlich des Intel-Entwicklerforums fast gar keine Details zum kommenden DDR4-SDRAM-Standard für Computer-Hauptspeicher, doch immerhin erwarten sie etwa im Jahr 2012 die Einführung dieser neuen RAM-Generation. Qimonda meint überdies, dass diese Speicherchips, die nach der bisherigen Logik der DDR-Fortentwicklung mit Taktfrequenzen von deutlich mehr als 1 GHz laufen müssten, dabei mit lediglich 1,2 Volt Betriebsspannung auskommen werden. Ähnliche Eckpunkte hatte das Standardisierungsgremium JEDEC bereits vor etwa einem Jahr genannt; damals wurde eine erste Version der DDR4-SDRAM-Spezifikation noch in diesem Jahr erwartet.

Qimonda sprach auf dem IDF aber vor allem über sparsamere Speicherchips, etwa DDR3-SDRAMs, die statt mit 1,5 Volt mit lediglich 1,35 Volt Betriebsspannung arbeiten und deshalb auch weniger Leistung aufnehmen. Obwohl das theoretisch vorteilhaft ist, fallen Einsparungen bei der Hauptspeicher-Leistungsaufnahme im Vergleich zu anderen Verbrauchern in Notebooks bisher kaum ins Gewicht. Weil moderne Hauptspeichersysteme allerdings die Performance der Speicherchips bei zu hohen Temperaturen automatisch bremsen, um Überhitzung zu vermeiden, können sparsamere DRAMs die Systemleistung steigern. Alternativ lässt sich das aber auch durch stärkere Kühlung erreichen.

Intel erwähnte auch noch einmal die bereits angekündigten MetaRAM-Speichermodule mit besonders hoher Kapazität. Ein Server mit zwei Xeons der Nehalem-Generation, die jeweils 9 Speichersteckplätze anbinden (je 3 DDR3-SDRAM-Kanäle mit je 3 Slots), also ein Mainboard mit 18 DDR3-RDIMM-Slots, soll bei Vollbestückung mit 8-GByte-DIMMs aus den zurzeit gängigen und billigen 1-GBit-Chips 144 GByte Hauptspeicher bieten. Hynix zeigt auf dem IDF sogar Muster von MetaRAM-DIMMs mit 16 GByte Kapazität.

Zum IDF Fall 2008 siehe auch:

(ciw)