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ISSCC: CMOS-Weltrekord mit 410 GHz

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Forschern der University of Florida ist es mit Hilfe von Texas Instruments gelungen, einen CMOS-Oszillator (push-push oscillator) bis zu einer Frequenz von 410 GHz zum Schwingen zu bringen. Das sind 200 GHz mehr als der bisherige Rekord für CMOS-Schaltkeise – und auch 100 GHz mehr, als es aufwendige Indium-Phosphid-Chips bislang zuwege bringen.

Das dürfte das erste Mal in der 30-jährigen Geschichte diverser Hochfrequenz-Fertigungstechniken sein, dass preiswerte Silizium-Chips kostspielige Indium-Phosphid-, Gallium-Arsenid- und andere Techniken aus dem Rennen schlagen, meint Professor Ken O von der Universität Florida. Er ist schon seit Jahren dabei, den CMOS-Rekord immer weiter in die Höhe zu treiben; vor zwei Jahren etwa feierte er zusammen mit UMC das Erreichen der 105-GHz-Marke. Nun hatte er mit dem auf der ISSCC vorgestellten 45-nm-Prozess von Texas Instruments mit bis zu 410 GHz Erfolg.

In den nächsten fünf Jahren erwartet Ken O eine Fülle von Produkten, die diese wesentlich preiswertere Technik nutzen werden, vor allem im Imaging-Bereich zum Beispiel im Radar-W-Band (75 bis 110 GHz) und weit darüber hinaus. Das eignet sich für Messgeräte für die Umweltüberwachung, für Scanner, die durch die Kleidung durchschauen können, für medizinische Detektoren, die Haut- und andere Krebsarten erkennen und Derartiges mehr.

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(as)

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