Menü

ISSCC: DRAM-Rekorde

vorlesen Drucken Kommentare lesen 23 Beiträge

Speichermarktführer Samsung vermeldet auf der Halbleiterkonferenz ISSCC in San Francisco eine neue Bestmarke: Vier 2-GBit-DDR3-Chips türmt Samsung zu einem 8-GBit-Chip-Stapel übereinander. Dabei verwendet Samsung Thru-Silicon-Vias (TSV): Auf ein 2-GBit-Master-Die am Gehäuseboden werden drei gleich große Slave-Chips gestapelt und mit rund 300 TSV-Kanälen verbunden. Die Fertigungsausbeute im Vergleich zu bisherigen Quad-Die-Chips katapultierte Samsung angeblich mit neuen Prüf- und Korrekturmethoden von 15 auf 98 Prozent. Der Stromverbrauch der dreidimensionalen DDR3-Module soll im aktiven Zustand um ein Viertel, im Standby-Modus gar um die Hälfte sinken. Die 8-GBit-QDP-SDRAMs (Quad Die Package) ermöglichen die Fertigung von Registered DIMMs für Server mit jeweils 32 GByte Kapazität.

Die bereits vor zwei Wochen vorgestellten 4-GBit-DDR3-Chips können laut Samsung auch mit einer Versorgungsspannung von 1,2 Volt auskommen und sollen dann besonders sparsam arbeiten. Allerdings sieht die JEDEC-Spezifkation für DDR3-Speicher 1,5 Volt oder für Low-Power-DDR3-SDRAM auch 1,35 Volt fest. Somit dürften die Chips bestenfalls in speziellen Low-Voltage-Designs für Embedded-Geräte von ihrer theoretisch um 54 Prozent senkbaren Spannung profitieren. Allerdings wird auch erwartet, dass kommende DDR4-SDRAMs mit 1,2 Volt arbeiten werden.

Eine etwas späte Genugtuung wird dem insolventen Speicherhersteller Qimonda mit dem schnellsten 1-GBit-GDDR5-Speicher zuteil. Mit 7 GBit pro Sekunde und Pin – also 3,5 GHz Taktfrequenz – übertrifft der Datentransfer die bisher erreichten 6 GBit/s von GDDR5-SDRAMs. Durch kurzzeitiges Einschalten eines "Turbo-Transistors" steigt die Spannung des Transmitters bei der Signalübertragung um rund 100 mV und der Datentransfer wird beschleunigt. Mit diesem Trick kommt Qimonda auch wieder sehr dicht an den von Kooperationspartner Elpida angekündigten XDR-Chip mit 7,2 GBit/s/Pin heran. Das XDR-GDDR5-Wettrennen geht damit in eine weitere Runde. Den GDDR5-Chip fertigt Qimonda in einem konventionellen 75-nm-DRAM-Prozess, er arbeitet mit einer Spannungsversorgung von 1,5 Volt.

Zur ISSCC siehe auch:

(bbe)