Menü

ISSCC: Neuer Meilenstein in der MRAM-Entwicklung

vorlesen Drucken Kommentare lesen 19 Beiträge
Motorolas ISSCC IBM in Zusammenarbeit mit Infineon FRAM FeRAM
DRAM EEPROM Flash FRAM MRAM
Lesezyklen >1015 >1015 >1015 1012 -1015 >1015
Schreibzyklen >1015 104 -106 105 -106 1010 -1015 >1015
Schreibspannung 2,5-5 V 12-18 V 10-18 V 0,8-5 V -
Schreibenergie 10-200 pJ 1 pJ 10-200 pJ 1 pJ 10-200 pJ
Schreibzeit ~ ns 1-10 ms 1 µs-1 ms ~ ns ~ ns
Zugriffszeit 40-70 ns 40-70 ns 40-70 ns 40-70 ns 40-70 ns
Zellfläche 8 f2 ~40 f2 8-12 f2 9-13 f2 4 f2
f = 0,25 µm2 0,5 µm2 2,5 µm2 0,5-0,7 µm2 0,6-0,8 µm2 0,25 µm2
Datenhaltung flüchtig >10 Jahre >10 Jahre >10 Jahre >10 Jahre
Leistungsaufnahme 1 x 1-1,5 x 1-1,5 x 0,5-1 x 0,5-1 x
Natalia Pander, Matthias Holtz