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ISSCC: Samsung stellt 4-GBit-Speicherchip vor

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Der südkoreanische Chipgigant Samsung hat eine Technologiestudie zur Herstellung von 4-GBit-SDRAM-Bausteinen vorgestellt. Bei großen Speicherchips treten Probleme auf, weil aufgrund der relativ langen Signalleitungen die schwachen Signale der einzelnen Speicherzellen von Rauschen und Spannungsschwankungen überlagert werden.

Die Samsung-Entwickler haben nach eigenen Angaben bisher 160 Patente im Zusammenhang mit der Entwicklung des 4-GBit-Chips angemeldet. Das Double-Data-Rate-SDRAM, dessen acht 512-MBit-Speicherfelder 4,29 Milliarden Speicherzellen beherbergen, soll in einem 0,10-µm-Prozess produziert werden.

Zur Stabilisierung der Versorgungsspannung von nur noch 1,8 Volt und zur Rauschunterdrückung auf den Schreib-/Leseleitungen sind Zusatzschaltungen auf dem Chip untergebracht, die rund 1,2 Prozent zusätzliche Siliziumfläche erfordern. 1-GBit-Speicherchips hat Infineon schon auf der ISSCC 1999 vorgestellt. Bisher sind solche Chips aber noch zu groß für die Serienfertigung. (ciw)