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Intel auf dem Weg zum 20-GHz-Prozessor

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Der Hardwaregigant Intel hat auf dem Silicon Nano Electronics Workshop in Kyoto, Japan, einen weiteren Durchbruch in der Fertigung von Siliziumtransistoren bekannt gegeben: Im Intel-Forschungszentrum in Hillsboro soll es gelungen sein, eine Handvoll Transistoren mit einer Größe von nur 20 Nanometern herzustellen. Damit ließen sich Mikroprozessoren mit 0,045-Mikron-Strukturen fertigen, hieß es. Zurzeit beginnt in der Halbleiterindustrie gerade die Umstellung auf 130 Nanometer-Prozesstechnik.

Die Bedeutung der Intel-Entwicklung liegt weniger in der Winzigkeit der elektronischen Schalter – andere Forscher haben bereits noch kleinere Transistoren experimentell hergestellt – als vielmehr darin, dass der Schritt mit herkömmlichem Silizium und der gebräuchlichen Lithografietechnik, wenn auch in verfeinerter Form, gelungen ist. Damit besteht die Aussicht, das Verfahren zügig in die industrielle Produktion übertragen zu können. Beobachter rechnen damit, dass Intel bereits im Jahr 2007 Prozessoren mit nahezu einer Milliarde Transistoren herstellen könnte, die mit bis zu 20 GHz getaktet werden.

Moore's Law – das nach dem Intel-Gründer Gordon Moore benannte "Gesetz" aus den 60er Jahren, wonach sich die Chip-Komplexität alle 18 Monate verdoppelt – gilt also offenbar noch für einige Zeit weiter. Doch bald wird sich die Halbleiterindustrie nach neuen Materialien umschauen müssen, denn die Siliziumtechnik stößt unabänderlich an ihre physikalische Grenze: Die winzigen Intel-Transistoren müssen mit einer Gate-Isolierschicht von nur noch drei Atomen auskommen. Noch dünner kann Siliziumdioxid (ein Siliziumatom, zwei Sauerstoffatome) nun nicht mehr werden. (cp)