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Intel auf dem Weg zum Multi-Gigahertz-Chip

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Intel arbeitet mit Hochdruck an der Einführung eines neuen Prozesses zur Fertigung von Prozessoren mit kleineren Strukturen und höheren Taktfrequenzen. In dem kommenden 0,13-µm-Prozess, genannt P860, sollen die Nachfolger des heutigen Pentium III und des bald erwarteten Pentium 4 gefertigt werden.

Die aktuellen Pentium-III-Chips mit dem Codenamen "Coppermine" fertigt Intel im P858-Prozess mit Strukturgrößen von minimal 0,18 µm; die effektive Gatelänge der Transistoren kann dabei 0,13 µm erreichen. Der 0,13-µm-Prozess, in dem der kommende "Tualatin" (wie bereits berichtet) produziert werden soll, kann ein Transistorgate (Bild) auf bis zu 70 nm (0,07 µm) verkleinert werden. Dadurch sind nicht nur mehr Transistoren pro Chip möglich, sondern auch höhere Taktfrequenzen. Bis zu 100 Millionen Transistoren sollen sich mit mehreren Gigahertz betreiben lassen. Eine 6-Transistor-SRAM-Zelle, die beispielsweise für 1 Bit Cache-Speicher nötig ist, lässt sich laut Intel auf nur 2,45 µm2 unterbringen, weitere Entwicklungsarbeiten sollen diese Fläche auf 2,09 µm2 verkleinern.

Als weitere Besonderheit erlaubt der P860-Prozess, alle sechs Metalllagen aus Kupfer statt aus Aluminium zu fertigen. Als Isoliermedium zwischen Leitern kommen so genannte Low-K-Dielektrika zum Einsatz. Diese tragen durch geringere kapazitive Belastung und Verluste zu höheren Schaltgeschwindigkeiten bei.

Intel gab gestern bekannt, die Einführung des P860-Prozesses verlaufe nach Plan: Man habe bereits funktionierende Prozessoren und SRAM-Speicherchips hergestellt. Die Fab 20 in Hillsboro/Oregon soll als erste im neuen Prozess fertigen. Weitere Intel-Werke sollen Zug um Zug umgestellt werden, drei davon will Intel gleichzeitig auf die Produktion auf 300-mm-Wafern umrüsten. (ciw)