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Intel startet Bau der ersten Fab für 450-mm-Wafer

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Intel setzt die 2012 angekündigten Pläne zum Bau einer Chipfabrik um, die Siliziumscheiben mit 45 statt bisher höchstens 30 Zentimetern Durchmesser verarbeitet. Wie bei den früheren Umstiegen der Branche auf größere Wafer üblich, sollen auch die 450-Millimeter-Scheiben pro Quadratzentimeter Siliziumfläche deutlich niedrigere Fertigungskosten bringen. Zuvor muss aber eine lange Entwicklungsphase erfolgreich gemeistert werden, um die zahlreichen technischen Schwierigkeiten zu meistern. Außerdem steigen die Investitionen pro wirtschaftlich sinnvoller Fertigungslinie deutlich weiter an, man schätzt auf mehr als 5 Milliarden US-Dollar.

Die D1X steht westlich der D1D auf dem Intel-Campus "Ronler Acres".

(Bild: Intel)

Die erst in diesem Jahr fertiggestellte Fab D1X nutzt Intel wie die älteren D1C und D1D auf dem "Ronler Acres"-Campus in Hillsboro, Oregon vorwiegend für die Entwicklung neuer Fertigungsverfahren. Nach deren Abschluss kommt die Fertigungstechnik dann auch in anderen Intel-Fabs zum Einsatz. Erste 450-mm-Wafer sollen ab 2015 verarbeitet werden, vermutlich kommt dabei dann 14-nm-Fertigungstechnik zum Einsatz. Letztere wiederum soll schon 2014 auf 300-mm-Wafern starten.

Wie Joel Hruska von Extremetech meldet, hat Intel vor einigen Tagen mit dem Aufbau des für 450-mm-Wafer vorgesehenen Module 2 der D1X begonnen. In Stellenangeboten sucht Intel schon länger Personal für D1X Mod2.

Außer Intel werden vermutlich nur wenige Chip-Hersteller auf 450-mm-Scheiben umstellen, darunter die weltgrößten Auftragsfertiger TSMC und Globalfoundries sowie vermutlich auch Samsung. Intel, Samsung und TSMC wollen durch Investitionen von rund 1,38 Milliarden Euro sowie Abnahmeverpflichtungen für neue Maschinen auch die Entwicklung beim Ausrüster ASML beschleunigen. (ciw)