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Intel und Micron zeigen 128-Gigabit-Flash-Chip

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Der 128-GBit-Chip passt auf eine Fingerspitze.

(Bild: Micron)

Rund 137,4 Milliarden Bit, also 128 Gigabit beziehungsweise 16 GByte an Daten speichert ein neuer NAND-Flash-Speicherchip, den die Kooperationspartner Intel und Micron als Prototypen gefertigt haben. Dabei kam die bereits im April angekündigte 20-Nanometer-Technik für Multi-Level-Cell-(MLC-)NAND zum Einsatz. Als 20-nm-Serienprodukte fertigt das Joint Venture IM Flash Technologies nach eigenen Angaben mittlerweile 32- und 64-GBit-Chips.

Die genaue Fläche des 128-GBit-Chips verriet IM Flash bisher nicht; unklar ist, ob dieses Silizium-Die etwa in eine microSD-Karte passen würde oder ob man dafür kleinere 64-GBit-Chips nehmen muss. Mit der besonders schnellen ONFI-3.0-Schnittstelle und bis zu 333 Megatransfers pro Sekunde ist der 128-GBit-Chip aber auch eher für Solid-Sate Disks (SSDs) interessant. Als Multi-Die-Stack aus acht Dice sind damit 128 GByte in einem einzigen Gehäuse realisierbar.

Vor drei Jahren fertigte IM Flash noch mit 34-nm-Technik.

(Bild: Micron)

Erstmals haben Intel und Micron nun auch bekannt gegeben, dass sie High-k/Metal-Gate-(HKMG-)Transistoren in der 20-nm-NAND-Flash-Fertigung mit planarer Zellstruktur einsetzen. Die Strukturverkleinerung schreitet bei NAND-Flash besonders rasch voran: 2008, also erst vor drei Jahren, wurde die 34-nm-Technik in Serie eingesetzt, 2010 folgte die 25-nm-Fertigung, die für die Flash-Chips vieler aktueller SSDs zum Einsatz kommt. Auch NAND-Flash-Weltmarkführer Samsung ist schon in der "20-Nanometer-Klasse" angekommen.

Hynix wird auf der Konferenz IEDM sogar schon über ein NAND-Flash der "Middle-1X nm"-Klasse, also mit rund 15 nm Strukturbreite sprechen. Dort stellt Samsung eine PRAM-Zelle der 20-nm-Klasse vor und will auf der ISSCC 2012 dann ein 8-GBit-PRAM mit LP-DDR2-Schnittstelle präsentieren, das sich mit bis zu 40 MByte/s beschreiben lässt. Die nichtflüchtige Phasenübergangsspeichertechnik des PRAM arbeitet wohl deutlich schneller als (MLC-)NAND-Flash, doch anscheinend kann die Speicherkapazität noch bei Weitem nicht mit MLC-NAND mithalten. (ciw)