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Intels Schlüssel zur absoluten Marktmacht

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Mit der kommenden 90-Nanometer-Technik will Intel nicht nur schnellere Prozessoren, sondern auch billigere Kommunikationschips fertigen. So will der Weltmarktführer künftig auch in diesem Bereich dominieren.

Den auf der CeBIT angekündigten Herstellungsprozess für Halbleiter-Bauelemente mit 90-nm-Strukturen (0,09 µm, 90 Millionstel Millimeter) will Intel universell nutzen. Sowohl die nächsten Generationen von Pentium-4-, Xeon-, Itanium-, Banias- oder XScale-Prozessoren und Flash-Speicher als auch Bausteine für die optische, leitungsgebundene und drahtlose Kommunikation sowie die Erfassung und Verarbeitung analoger Signale sollen mit dieser Technik gefertigt werden.

Die für solche Mixed-Signal- und Kommunikationschips nötigen Transistoren lassen sich bisher nicht in reiner CMOS-Technik fertigen, doch Intel arbeitet nach eigenen Angaben auch daran. Zunächst ist aber geplant, den kommenden 90-nm-Prozess um Module für bipolare Silizium-Germanium-Heterojunction-Transistoren, Low-Power- und Hochspannungs-CMOS-Transistoren sowie Präzisionskondensatoren und -widerstände, Spulen und Varaktoren hoher Güte zu ergänzen. Für den CMOS-Teil der Schaltungen sieht Intels 90-nm-Technik gestrecktes Silizium, sieben Lagen Kupfermetallisierung mit Low-k-Dielektrika und besonders kleine SRAM-Zellen vor.

Intel will auch im Telekommunikationsmarkt der wichtigste Chiphersteller werden. Das Unternehmen sieht gute Chancen, durch hoch integrierte Bauelemente, die analoge Daten direkt erfassen, digitalisieren, verarbeiten und in digitale Netze einspeisen können, schnell in diesem Bereich Fuß zu fassen. Außerdem treiben Mixed-Signal-Bausteine mit DSP-, Prozessor- und Hochfrequenzfunktionen sowie womöglich noch integriertem Flash-und DRAM-Speicher die Miniaturisierung der Mobilgeräte voran und senkt deren Leistungsbedarf.

Nur die größten Halbleiterfirmen haben das nötige Geld und die passenden Fabriken, solche Bausteine nicht nur zu entwickeln, sondern sie auch noch in riesigen Stückzahlen zu fertigen. Intel rüstet seine Fabs mit Hochdruck zur Verarbeitung von 300-mm-Wafern auf und investiert große Summen in neue Fertigungstechniken wie die SiGe:C-Fab in Frankfurt an der Oder. Nach der Implementierung des modularen 90-nm-Prozess in seinen weltweiten 300-mm-Fabs steht Intel ein riesiges und flexibel steuerbares Fertigungsreservoir zur Verfügung.

Außerdem kauft der Chipgigant laufend kleinere Entwicklerfirmen auf, um sich das nötige Knowhow zu sichern. Eine der Visionen der Amerikaner ist der Einbau drahtloser Kommunikationsfunktionen in jeden einzelnen Siliziumchip. Dazu müssen CMOS-Transistoren aber noch viel schneller werden. Chips der Zukunft sollen sich auch direkt optisch miteinander verknüpfen lassen. (ciw)