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Memristor-Speicherchips könnten "in drei Jahren" Flash-Speicher überflügeln

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Neues vom "Memristor": Dieses bereits 1971 von Professor Leon O. Chua vorhergesagte und 2008 von HP demonstrierte elektronische Bauelement könnte – ähnlich wie es von MRAM erwartet worden war – künftig sowohl DRAM als auch Flash-Speicher ablösen. Zudem versprechen Memristor-Speicherzellen, deutlich schneller zu arbeiten und gleichzeitig kleiner herstellbar zu sein, als bisherige (CMOS-)Speicherzellen aus beziehungsweise mit Transistoren.

HP Senior Fellow Stan Williams und seine Mitstreiter berichten nun in Beiträgen für Nature und die Proceedings of the National Academy of Science der USA (PNAS) über neue Einsatzmöglichkeiten der Memristor-Technik; im Gespräch mit der New York Times äußert Dr. Williams sogar erstmals konkrete Zeitpläne. Demnach glaubt er, dass Memristor-Speicherchips bereits in drei Jahren hergestellt werden könnten und dann mit rund 20 Gigabyte pro Quadratzentimeter rund das Doppelte der Speicherdichte von dann verfügbaren NAND-Flash-Speicherchips erreichen dürften. Die jüngsten MLC-NAND-Flashes aus der 25-Nanometer-Fertigung von Intel und Micron bringen es auf knapp 5 GByte pro Quadratzentimeter (8 GByte auf 1,67 Quadratzentimetern).

Memristor-Schaltungen sollen aber nicht nur als Speicher zum Einsatz kommen, sondern auch als Logik-Bausteine; darauf bezieht sich die Nature-Veröffentlichung. In dem PNAS-Artikel geht es um mehrlagige Memristor-Schaltungen. Auch zahlreiche andere Firmen und Institute arbeiten an neuartigen Speicherchips wie ReRAM; doch auch Phasenübergangsspeicher, Racetrack Memory oder CMOx-Speicher könnten Flash ablösen. (ciw)

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