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SK Hynix und IBM entwickeln Phasenübergangsspeicher gemeinsam

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Die südkoreanische Firma SK Hynix hat mit IBM ein Abkommen über die gemeinsame Entwicklung von Phasenübergangsspeichern, so genanntem PCRAM, geschlossen. Unter anderem will SK Hynix die von IBM 2011 angekündigte Multi-Level-Cell-(MLC-)Technik einsetzen.

Mit weiter schrumpfenden Strukturgrößen in der Halbleiterfertigung werden wachsende Probleme bei NAND-Flash-Speicher erwartet, dem zurzeit dominierenden Typ nichtflüchtiger Speicherchips. Vier der fünf verbliebenen NAND-Flash-Fabrikanten – Samsung, Toshiba, Micron (IM Flash), SK Hynix – arbeiten seit Jahren an Alternativen wie ReRAM, Memristor, Racetrack Memory, CMOx oder Phasenübergangsspeicher. Samsung fertigt seit 2010 ein PRAM, welches aber nicht als diskretes Bauelement erhältlich ist, und hat auf der ISSCC über eine 8-Gigabit-(1-GByte-)Version aus der 20-nm-Fertigung berichtet.

Micron ist durch die Übernahme von Numonyx an Phase-Change Memory (PCM) gelangt und hat ebenfalls seit 2010 Serienprodukte im Angebot. Diese konkurrieren aber allesamt nicht mit NAND-Flash, sondern eher mit NOR-Flash, und liegen von der Kapazität pro Die noch sehr weit hinter NAND-Flash – Toshiba schafft mit 19-nm-Technik und x3-MLC (3 Bits pro Zelle) mittlerweile 128 GBit (16 GByte) auf einem Siliziumchip mit 170 Quadratmillimetern Fläche.

SK Hynix hatte 2007 mit der eigenen PCRAM-Entwicklung begonnen und einen 1-GBit-Prototypen mit 40-nm-Technik hergestellt. IBM hatte 2005 zusammen mit der untergegangenen Speichersparte der Firma Infineon und Macronix eine PCM-Kooperation begonnen. Macronix hat immer wieder zu dem Thema Vorträge gehalten, aber bisher kein PCM auf dem Markt, und entwickelt selbst auch ReRAM.

Das macht SK Hynix ebenfalls, und zwar unter Einsatz der Memristor-Technik von HP. 2010, als HP und SK Hynix ihre Partnerschaft verkündeten, wurden erste Prototypen nach rund drei Jahren erwartet – dann müsste es 2013 soweit sein. SK Hynix hat auch ein MRAM-Eisen im Ofen und kooperiert bei der Entwicklung von Spin-Torque-Transfer-(STT-)MRAM mit Toshiba. (ciw)