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Samsung Exynos 9-8895: 10-nm-SoC für Smartphones mit 1-GBit-LTE

Kurz vor dem Mobile World Congress verkündet Samsung Details zum 10-Nanometer-Prozessor Exynos 9 Series 8895, dessen integriertes LTE-Modem bis zu 1 GBit/s im Downstream liefern soll.

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Samsung Exynos big-Little

Auch im Exynos 9 kombiniert Samsung leistungsstarke ARMv8-A-Kerne aus eigener Entwicklung mit sparsameren Cortex-A53-Cores.

(Bild: Samsung)

Auf Exynos 8 folgt Exynos 9: Kommende Samsung-Smartphones wie das erwartete Galaxy S8 dürften mit dem Exynos 9 Series 8895 aus der 10-Nanometer-Fertigung von Samsung Semiconductor bestückt sein. Drei Tage vor dem Mobile World Congress (WMC) in Barcelona hat Samsung das Octo-Core-SoC mit vier Cortex-A53 und vier von Samsung selbst entwickelten ARMv8-A-Kernen angekündigt. Letztere nennt Samsung "zweite Generation", was wohl andeuten soll, dass im Vergleich zum Exynos 8 Octa etwas verbessert wurde – aber was, verrät Samsung nicht.

Statt der GPU ARM Mali-T880 im Exynos 8 kommt im Neuling eine Mali-G71 zum Einsatz. Als potenziellen Einsatzzweck nennt Samsung VR. In der GPU stecken auch verbessere Encoder und Decoder für 4K Ultra HD – aber das konnte auch der Vorgänger: Das später wegen Akkuproblemen zurückgerufene Galaxy Note 7 wäre eines der ersten Smartphones gewesen, dem Amazon Prime Video HDR-Kontraste geliefert hätte.

Eine Vision Processing Unit (VPU) soll unter anderem Bewegungserkennung, Tracking und Panorama-Stitching übernehmen.

Das eingebaute LTE-Modem kann im Download bis zu fünf Kanäle bündeln (5CA/Cat. 16), um Daten mit bis zu 1 GBit/s zu laden. Im Uplink soll es dank 2CA/Cat. 13 bis zu 150 MBit/s schaffen.

Samsung hat auch eine spezielle Funktionseinheit für sicheres mobiles Bezahlen sowie für biometrische Funktionen wie Fingerabdrucksensor oder Iris-Scanner eingebaut.

Samsung verspricht für die 10-nm-Transistoren bis zu 27 Prozent Mehrleistung bei gleichzeitig 40 Prozent niedrigerer Leistungsaufnahme im Vergleich zur 14-nm-Technik, die etwa auch im Exynos 8 steckt. Die Fertigungssparte von Samsung Semiconductor produziert für Qualcomm auch bereits den Snapdragon 835, der in Smartphones und später auch in Windows-10-Tablets erwartet wird. Der Snapdragon 835 hat ebenfalls acht Kerne und ein Gigabit-LTE-Modem.

Intel hängt im Vergleich dazu mit 10-nm-Produkten hinterher, der Cannonlake-U/Y mit 10-nm-Technik für Tablets und 2-in-1-Hybriden soll aber auch noch 2017 starten.

Der Branchenkenner Scotten W. Jones von IC Knowledge hält die Fertigungsverfahren von TSMC, Samsung/Globalfoundries und Intel indes schon länger nicht mehr für leicht vergleichbar. EETimes zeigt eine von ihm erarbeitete Grafik, die die verschiedenen Produktionsverfahren vergleicht. (ciw)

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