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Samsung fertigt NAND-Flash-Chips der "20-Nanometer-Klasse"

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Der DRAM- und Flash-Speicherchip-Marktführer Samsung hat nach eigenen Angaben die Serienfertigung von Multi-Level-Cell-(MLC-)NAND-Flashes mit minimalen Strukturbreiten der "20-Nanometer-Klasse" aufgenommen. Genauere Angaben zu den kleinsten herstellbaren Strukturen will das koreanische Unternehmen offenbar nicht machen, es hatte bereits bei der Fertigungstechnik des vergangenen Jahres von der "30-nm-Klasse" gesprochen.

Weil Samsung aber von der "industrieweit ersten Produktion" von NAND-Flash-Chips der 20-nm-Klasse spricht, dürften die Strukturen wohl kleiner sein als bei den seit Februar von Intel und Micron produzierten 25-nm-Chips. Diese haben allerdings eine höhere Kapazität: Während Samsung 32-Gigabit-(4-GByte-)Dies produziert, stellt das Intel-Micron-Joint-Venture IM Flash Technologies bereits 64-GBit-Chips her. Samsung liefert bereits Muster von SD-Karten aus, in denen die 20-nm-Chips stecken; nach eigenen Angaben hatte Samsung im März 2009 mit der Produktion von 30-nm-Chips begonnen.

Genaue Angaben zur Packungsdichte beziehungsweise zur Größe des 20-nm-/32-GBit-Chips machte Samsung nicht. Intel/Micron nennen für die 25-nm-MLC-NAND-Flashes mit 64 GBit 167 Quadratmillimeter Fläche, kommen also auf 0,38 GBit beziehungsweise etwa 46 MByte pro Quadratmillimeter. (ciw)

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