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Samsung kündigt 70-Nanometer-Speicherchips an

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Ab der zweiten Jahreshälfte 2006 will Samsung DDR2-SDRAM-Bausteine mit 70-Nanometer-Strukturen herstellen. Damit jede einzelne der 500 Millionen bis über 2 Milliarden Speicherzellen auf den geplanten 512-MBit-, 1-GBit- und 2-GBit-Chips trotz ihrer winzigen Fläche ausreichend viele Elektronen speichern kann, musste Samsung Electronics weitere Verbesserungen implementieren. Dazu gehört beisipielsweise ein dreidimensional strukturierter Transistor namens Sphere-shaped Recess-Channel Array Transistor (S-RCAT), den Samsung-Entwickler bereits auf dem VLSI-Symposium 2005 vorgestellt hatten. Außerdem kommen Metall-Isolator-Metall- (MIM-)Kondensatoren als Speicherelemente zum Einsatz.

Samsung will bis 2012 die weltweit größte Chip-Fertigung in Süd-Koreas aufbauen. Ende 2006 sollen auch die ersten DDR3-SDRAMs zu haben sein. Außer Samsung wollen dann auch andere Speicherchip-Firmen -- etwa Elpida -- 2-GBit-Chips fertigen, aus denen sich ungepufferte 4-GByte-DIMMs herstellen ließen.

Gestützt auf Gartner-Marktanalysen erwartet Marktführer Samsung ein Wachstum des weltweiten DRAM-Umsatzes von 26,2 Milliarden US-Dollar in diesem Jahr auf 29,1 Milliarden US-Dollar 2008. Vor etwa einem Jahr hatten die Marktforscher von iSuppli dem DRAM-Markt allerdings eine Schrumpfung im Jahr 2006 vorausgesagt -- möglicherweise nennt Samsung deshalb nur die Zahlen für 2005 und 2008. (ciw)