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Schnellladetechnik: Quick Charge 4 ist USB-PD-kompatibel

Qualcomms Schnellladetechnik Quick Charge wird in der kommenden Ausbaustufe 4 kompatibel zum Ladestandard USB Power Delivery.

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Schnellladetechnik: QuickCharge 4.0 ist USB-PD-kompatibel

(Bild: Qualcomm)

Qualcomms Schnellladetechnik Quick Charge steckt in vielen Smartphones, in denen auch die hauseigenen Snapdragon-Prozessoren arbeiten. Mit der nun angekündigten nächsten Version öffnet sich die vormals proprietäre Funktion: QuickCharge 4 ist kompatibel zu USB-PD (Power Delivery) des Standardisierungsgremiums USB-IF (Universal Serial Bus Implementers Forum). Wie USB-PD sieht Quick Charge 4 die Verwendung von Typ-C-Buchsen an Smartphone wie Netzteil vor.

Die Verbindung zwischen den beiden erfolgt hier wie dort über elektronisch markierte Kabel, die darüber kundtun, für welche maximalen Ströme sie taugen: Es sind Kabel mit maximal 3 oder maximal 5 Ampere vorgesehen. Bei unmarkierten Kabeln – also solchen ohne ID-Chip – dürften wie bei USB bestenfalls 1,5 Ampere fließen. Die Spannung zwischen Netzteil und Smartphone kann von den USB-typischen 5 Volt auf bis zu 20 Volt gesteigert werden.

Quick Charge 4 soll einen Smartphone-Akku mit 2750 mAh in fünf Minuten auf 50 Prozent seiner Kapazität aufladen. Zum Vergleich: Für Quick Charge 3.0 hatte Qualcomm damals 70 Prozent in einer halben Stunde angegeben. Direkt vergleichen lassen sich beide Angaben aber nicht, da das Laden eines Lithium-Ionen-Akkus nicht linear abläuft und die Ladegeschwindigkeit mit steigendem Füllstand abnimmt. QuickCharge 4 ist abwärtskompatibel; neue Smartphones lassen sich also auch an älteren Netzteilen mit deren maximaler Laderate aufladen.

Für Quick Charge 4 selbst sind aber neue Bausteine notwendig, etwa das Smartphone-SoC Snapdragon 835 und die ebenfalls von Qualcomm stammenden Spannungsregler SMB1380 und SMB1381. Alle drei sollen bis zur Jahresmitte 2017 erscheinen; entsprechend ausgestattete Geräte dürften also spätestens auf dem Mobile World Congress im Februar 2017 vorgestellt werden.

Zum Snapdragon 835 selbst hat Qualcomm bislang nur verraten, dass er bei Samsung mit 10-nm-FinFET-Prozess 10LPE (Low Power Early) vom Band laufen wird. Je nach Auslegung des Prozesses bietet er gegenüber des 14-nm-Vorgängers 27 Prozent mehr Rechenleistung oder 40 Prozent weniger Energieverbrauch – oder irgendetwas dazwischen mit kleineren Gewinnen in beiderlei Hinsicht.

Ob Qualcomm seine vormals proprietäre Ladetechnik freiwillig hinsichtlich USB-PD "aufgeweicht" hat, ist unklar: Im Hintergrund laufen derzeit offenbar Bestrebungen von Google, USB-PD als Schnellladetechnik für alle Android-Geräte vorzuschreiben.

In Abschnitt 7.7.1 der offiziellen Kompatibilitätsdefinition von Android 7.0 empfiehlt Google mit Nachdruck, keinerlei Ladetechniken einzubauen, die über proprietäre Vbus-Signalisierungen oder ähnlichen Methoden Kompatibilitätsprobleme zu standardkonformen USB-PD-Geräten hervorrufen könnten. Damit sind neben Quick Charge auch andere herstellerspezifische Schnellladetechniken wie Pump Express (Mediatek), Vooc Flash Charge (Oppo) oder Dash Charge (OnePlus) offiziell verpönt.

Im Folgesatz legt Google sogar noch einen drauf: Man behalte sich vor, die Kompatibilität zu standardisierten Typ-C-Ladegeräten (sprich: USB-PD-Ladegeräten) für künftige Android-Versionen explizit vorzuschreiben. (mue)

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