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Speicher-Spezialist ProMOS will seine Fertigungsmengen deutlich steigern

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Der taiwanische DRAM-Chiphersteller ProMOS will seine 300-mm-Wafer-Fab ab dem kommenden Monat voll auslasten und bis September auf kleinere Halbleiterstrukturen umsteigen. Das Unternehmen erwartet, dass beide Maßnahmen zusammen den Ausstoß an Speicherchips um mehr als ein Viertel auf dann monatlich 28 bis 29 Millionen 256-Megabit-Äquivalente steigern werden. 18.000 Wafer pro Monat laufen dabei durch die Fertigungsanlagen, wie Firmensprecher Albert Lin der DigiTimes in Taipeh sagte.

ProMOS war bis vor etwa einem halben Jahr noch an Infineon gebunden und gehört teilweise noch Mosel Vitelic. Gemeinsam mit der Mutterfirma liegt ProMOS auf Rang 5 der weltgrößten DRAM-Hersteller. Das Unternehmen verkauft seine in 0,14-Mikrometer-Technik gefertigten Speicherchips vorrangig auf dem Spot-Markt und betreibt zurzeit zwei Fertigungslinien, je eine für 200- und 300-mm-Wafer. Das Knowhow für die Prozesstechnik und die 300-mm-Fertigung stammt teilweise von Infineon, wobei Infineon wiederum bei der RAM-Entwicklung mit IBM kooperiert hat und die 300-mm-Fertigung gemeinsam mit Motorola und mit öffentlichen Fördermitteln auf die Beine stellte. Das technische Wissen hatte Infineon in das Jointventure mit Mosel Vitelic eingebracht, aus dem ProMOS hervorgegangen ist. Im Februar letzten Jahres hatten ProMOS und Mosel Vitelic vor einem taiwanischen Gericht durchgesetzt, dieses Knowhow weiter nutzen zu dürfen, nachdem zuvor Infineon in einem anderen Verfahren gegen die ehemaligen Geschäftspartner gewann. ProMOS hat nach eigenen Angaben mittlerweile selbst ein Verfahren zur Herstellung von 0,11-Mikrometer-Strukturen entwickelt, das für 512-MBit-DRAMs nach DDR2-Standard zum Einsatz kommen soll.

ProMOS baut derzeit eine zweite 300-mm-Fertigungslinie (Fab III) im taiwanischen Taichung. Dort will man in den nächsten fünf Jahren 3,2 Milliarden US-Dollar investieren, die Fab könnte mit geplanten 50.000 Wafern monatlich eine der weltgrößten Speicherfabriken werden. (ciw)