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Speicher für SSDs: Toshiba hält neues QLC-Flash für so haltbar wie TLC

Vor zwei Jahren hatte Toshiba Flash-Speicher mit einer Kapazität von 4 Bit pro Zelle vorgestellt. Während damals nur Archiv-SSDs mit möglichst wenigen Schreibvorgängen möglich schienen, könnte QLC-Flash nun auch in Desktop-SSDs zum Einsatz kommen.

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Toshiba: Neuer QLC-Flash so haltbar wie TLC

QLC-Flash (Quadruple Level Cell) speichert 4 Bit pro Zelle und damit ein Drittel mehr als der aktuell bei vielen SSDs eingesetzte TLC-Speicher (Triple Level Cell) – und zwar auf der gleichen Fläche. Die größte Herausforderung dabei ist es, die dazu notwendigen 16 Spannungslevel fehlerfrei zu schreiben und wieder auszulesen.

Bei der ersten Vorstellung auf dem Flash Memory Summit 2015 hatte Toshiba bereits von SSDs mit 128 TByte Speicherkapazität gesprochen, die unter anderem durch diese Technik möglich seien. Allerdings sei QLC empfindlicher beim Beschreiben als TLC-Speicher: Toshiba nannte damals maximal 100 bis 150 Schreibvorgänge pro Zelle; damit wären mit QLC-Flash aufgebaute SSDs fast ausschließlich als Archivmedium einsetzbar.

Nun aber scheint Toshiba unter anderem durch verbesserte Korrekturverfahren die Haltbarkeit gesteigert zu haben. Gegenüber Anandtech gab der Hersteller an, dass man nun mit rund 1000 Schreibzyklen rechne. Aktuelle SSDs mit TLC-Speicher liegen mit rund 1500 Schreibvorgängen nur wenig darüber – QLC-SSDs könnten somit auch in Desktop-PCs und Notebooks zum Einsatz kommen.

Toshiba will auf dem Flash Memory Summit in Santa Clara in zwei Wochen erste Muster von SSDs mit QLC-Speicher vorstellen. Auch Fertigungspartner WD will dort SSDs mit dem BiCS3 X4 genannten Speicher präsentieren.

Derzeit soll ein Die mit 64 Lagen QLC-Speicher 768 GBit fassen, daraus ließen sich mit der üblichen Stackhöhe von 16 Chips SSDs mit rund 1,5 TByte bauen. Toshiba-WD arbeiten jedoch bereits an Dies mit 96 Lagen Flash. Konkrete SSD-Ankündigungen sind jedoch zu diesem frühen Zeitpunkt noch nicht zu erwarten: Die Massenfertigung startet erst im kommenden Jahr. (ll)

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