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TSMC will Intel bei 10 nm überholen

Während Chipmacher Intel das Gesetz seines Gründers Moore aufgibt und auf einen langsameren Tick-Tock-Tock mit 2,5 Jahre Zykluszeit wechselt, will TSMC die Moore'sche Tradition mit 10 nm fortsetzen und mit dem 7-nm-Prozess sogar noch beschleunigen.

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TSMC will Intel bei 10 nm überholen.

Nachdem Intel mit der 10-nm-Herstellungstechnik zurückgerudert ist und die ersten darin gefertigten Chips nun erst fürs zweite Quartal 2017 avisiert, zeigt sich der taiwanische Auftragshersteller TSMC optimistisch, schneller zu sein. Schon Anfang 2017 will TSMC mit der Massenproduktion in 10-nm-FinFet-Technik (CLN10) starten.Die sogenannte "Risk Produktion" also die Einlauf- und Testphase soll bereits Ende 2016 beginnen.

Welche Lithografie TSMC bei 10 nm verwenden will, hat TSMC Forschungsdirektor Burn J. Lin schon im vorigen Jahr klar gestellt: optische Lithografie mit 193-nm-ArF-Laser und Immersionstechnik. Diese ist nach internen TSMC-Benchmarks deutlich günstiger als EUV bei angenommenen 125 Watt Lichtleistung. Und das gilt sogar noch bei dem für nur ein Jahr später geplanten 7-nm-Prozess. Erst bei 250 Watt wäre hier EUV etwa gleichwertig, aber da lohnt sich dann schon eher das direkte Beschreiben mit Multiple E-Beam (MEB).

n den nächsten beiden Jahren wird das meiste Geld, so TSMC im Bilanzbericht, noch mit der gut eingefahren 28-nm-Technik in inzwischen sechs verschiedenen Prozessvariationen verdient. Der Anteil von 20 nm soll sich in diesem Jahr gegenüber 2014 verdoppeln. Im zweiten Quartal startete bereits die Volumenproduktion in 16-nm-FinFET und jetzt beginnt die Auslieferung. Die Produktion soll nun rapide hochgefahren werden.

(as)

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