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Toshiba fertigt 32-Gigabit-NAND-Flashes mit 32-Nanometer-Strukturen

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3-Bit-MLC-NAND mit 32-nm-Strukturen

(Bild: Toshiba)

Als nach eigenen Angaben erster Hersteller produziert die japanische Firma Toshiba NAND-Flash-Speicherchips mit 32 Gigabit (4 GByte) Kapazität mit einem 32-Nanometer-Fertigungsprozess. Muster sind sofort verfügbar, die Großserienfertigung soll in den nächsten Monaten anlaufen. Ab Juli sollen auch Muster der zurzeit am häufigsten verkauften 16-GBit-Chips aus der 32-nm-Fertigung zu haben sein. Die 32-nm-Chips sollen zunächst in Speicherkarten und USB-Sticks zum Einsatz kommen und später auch in Versionen für Embedded Systems erscheinen.

Zurzeit fertigt Toshiba NAND-Flashes mit 43-nm-Strukturen und maximal 16 GBit Kapazität. Dabei handelt es sich um einen Multi-Level-Cell-(MLC-)Baustein mit 2 Bits/Zelle. Ob es sich bei den 32-GBit/32-nm-Chips bereits um die gemeinsam mit SanDisk entwickelten 3-Bit-MLC-Flashes handelt, erläutert Toshiba nicht genau. Diese 32-nm-Chips sollen jedenfalls mit 113 Quadratmillimetern Siliziumfläche noch kleiner sein als die 43-nm-Chips mit 16 GBit Kapazität.

Die Flash-Kooperationspartner Intel und Micron fertigen bereits ein 32-GBit-NAND-Flash mit 34-nm-Strukturen und 172 Quadratmillimetern Die-Fläche. NAND-Flash-Marktführer Samsung hatte 2007 angekündigt, in diesem Jahr die Fertigung von 64-GBit-Chips mit 30-nm-Strukturen aufnehmen zu wollen. (ciw)