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VLSI Symposium: SRAM aus Silizium-Nanodraht-Transistoren

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Nicht nur Kohlenstoff taugt als Nanodraht-Material, zur Integration in herkömmliche CMOS-Produktionsverfahren für Halbleiterbauelemente ist Silizium viel besser geeignet. Bereits auf dem IEDM 2005 hatten Samsung-Entwickler über einen experimentellen Twin Silicon Nanowire MOSFET (TSNWFET) mit zwei Nanodrähten von je 5 Nanometern Radius berichtet und 2006 einen Gate-All-Around-(GAA)-TSNWFET mit zwei 4-nm-Radius-Siliziumdrähten präsentiert. Auf dem VLSI Symposium in Honolulu/Hawaii erläutern die Samsung-Forscher um Sung Dae Suk nun den Aufbau von SRAM-Zellen aus TSNWFETs.

Der kleine Radius der Silizium-Nanodrähte führt zu einer kurzen effektiven Gatelänge und damit zu guten Schalteigenschaften solcher TSNWFETs, die – ähnlich wie FinFETs, MuGFETs oder die ebenfalls von Samsung genutzten S-RCATs – zu den dreidimensional stukturierten und jedenfalls nicht-planaren Transistoren zählen.

Am Tokyo Institute of Technology forscht Professor Shun-Ichiro Ohmi derweil an Twin-Channel-(TC-)MOSFETs, die anscheinend ähnliche Vorzüge bieten wie die GAA-TSNWFETs von Samsung.

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(ciw)