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Wafer mit gestrecktem Silizium möglicherweise nächstes Jahr

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Das MIT-Spinoff-Unternehmen AmberWave Systems will schon Mitte nächsten Jahres Wafer mit so genanntem gestrecktem Silizium kommerziell verfügbar machen. AmberWave Systems hat nach einem Bericht des Branchendienstes EETimes einen entsprechenden Vertrag mit einem nicht genannten Chipproduzenten unterzeichnet.

Das kleine Unternehmen liegt dabei allerdings im Clinch mit IBM: Der Chipriese hatte Anfang Juni eine Methode publiziert, um Mikrochips ohne große Veränderungen in der industriellen Produktion wesentlich schneller zu machen. Mit einer Schicht aus gestrecktem Silizium konnten die IBM-Forscher die Schaltgeschwindigkeit von Feldeffekt-Transistoren um etwa 35 Prozent erhöhen. IBM rechnet damit, dass die Technologie in drei bis fünf Jahren in die Produktion kommt.

Um die schnellen Transistoren zu konstruieren, bauten die IBM-Forscher eine Silizium-Germanium-Schicht in einen Feldeffekt-Transistor unterhalb des Gates ein. Zwischen dieser Silizium-Germanium-Schicht und dem Gate-Oxid befindet sich eine dünne Silizium-Schicht.

Das Kristallgitter von Silizium hat einen atomaren Abstand von etwa 0,5 Nanometern. Baut man in ein solches Silizium-Gitter einzelne Germanium-Atome ein, wird das Gitter des Mischkristalls aufgeweitet – die darüber liegende Silizium-Schicht wird so gestreckt und ebenfalls aufgeweitet. Die Elektronenbeweglichkeit in dem gestreckten Silizium kann dadurch um bis zu 80 Prozent erhöht werden.

Das Prinzip ist seit über zehn Jahren bekannt; IBM und AmberWave haben nun unterschiedliche Methoden entwickelt, um den Effekt in Standard-CMOS-Systemen zu nutzen. Laut EETimes hatte AmberWave IBM im Juni kontaktiert, um eventuell mögliche Patentkonflikte anzusprechen. IBM wollte dazu gegenüber heise online keinen Kommentar abgeben. (wst)

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