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Western Digital und Toshiba: 3D-TLC-NAND-Flash mit 64 Lagen und 32 GByte

Nach der Übernahme von SanDisk führt WDC die Flash-Kooperation mit Toshiba fort; die Partner kündigen Flash-Chips mit 64 Funktionlagen und Triple-Level-Cell-Technik an.

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BiCS3

Toshiba und Western Digital nennen ihr 3D-NAND-Flash mit 64 Lagen "BiCS3".

(Bild: Western Digital)

Bei NAND-Flash-Speicher für SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks stapeln die Chip-Hersteller immer höher: Nachdem Samsung sein eigenes 3D-V-NAND ab 2013 zunächst mit 24 und später mit 32 und ab 2015 mit 48 Funktionslagen herausbrachte, zogen auch die Konkurrenz-Teams SanDisk/Toshiba (heute Western Digital/Toshiba) und Intel/Micron (IMFlash) nach.

Mit 64 Funktionslagen und Triple-Level-Cell-(TLC-)Technik beim neuen 3D-NAND-Flash-Typ BiCS3 setzt WDC/Toshiba nach eigenen Angaben jetzt einen vermutlich vorläufigen Rekordwert fürs Lagenstapeln. Zunächst werden Chips mit jeweils 256 Gigabit (32 GByte) Kapazität produziert, die bereits in Musterstückzahlen an OEMs gehen.

SanDisk und Toshiba hatten im März 2015 ihr BiCS2-Flash mit 48 Lagen angekündigt, das derzeit in großen Stückzahlen gefertigt wird und auch weiter produziert werden soll. Die erste Generation ihres 3D-Flash setzten die Kooperationspartner nicht in Serienprodukten ein. Anfang 2016 hatte WDC dann SanDisk übernommen.

Die Chip-Spezialisten von TechInsights stellen einige Schliffbilder bereit, die den Aufbau solcher 3D-NAND-Flashes zeigen, etwa für die 32-Layer-Typen von Samsung.

Anlässlich der Konferenz Flash Memory Summit, die übernächste Woche im Silicon Valley stattfindet, werden weitere Flash-Neuheiten erwartet. Ein kleines Produkt-Update meldet Seagate: Die M.2-Versionen der Enterprise-SSD-Familie Nytro XM1440 sind bald mit 2 TByte Kapazität erhältlich. Sie arbeiten mit einem NVMe-Controller, der vier PCIe-3.0-Lanes anbindet. (ciw)